AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005MT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 85 mA
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.50
0.903
-171.71
7.441
83.44
0.029
4.18
0.604
-171.44
0.55
0.903
-173.53
6.807
81.55
0.030
3.31
0.603
-172.51
0.60
0.901
-175.37
6.268
79.64
0.030
2.49
0.602
-173.76
0.65
0.901
-177.11
5.817
77.76
0.030
1.53
0.602
-175.04
0.70
0.902
-178.58
5.441
75.93
0.030
0.64
0.602
-176.15
0.75
0.900
179.95
5.096
74.17
0.030
-0.21
0.600
-177.32
0.80
0.901
178.58
4.804
72.37
0.030
-0.90
0.600
-178.45
0.85
0.901
177.36
4.516
70.46
0.030
-1.80
0.600
-179.44
0.90
0.899
176.17
4.293
68.89
0.030
-2.30
0.599
179.38
0.95
0.899
174.93
4.089
67.19
0.030
-3.17
0.600
178.20
1.00
0.901
173.84
3.900
65.58
0.030
-4.01
0.600
177.19
1.05
0.900
172.74
3.730
63.88
0.030
-4.63
0.600
176.10
1.10
0.899
171.57
3.567
62.18
0.031
-5.38
0.600
175.06
1.15
0.900
170.42
3.423
60.54
0.031
-6.01
0.601
174.08
1.20
0.899
169.31
3.284
58.91
0.031
-6.66
0.601
173.04
1.25
0.898
168.10
3.154
57.19
0.031
-7.52
0.602
171.90
1.30
0.901
166.96
3.040
55.59
0.031
-8.14
0.602
171.14
1.35
0.897
165.99
2.928
54.05
0.031
-8.73
0.600
170.54
1.40
0.903
164.48
2.821
52.41
0.031
-9.30
0.606
169.31
1.45
0.901
163.52
2.720
50.95
0.031
-9.89
0.606
168.98
1.50
0.900
160.23
2.618
49.25
0.030
-10.77
0.607
170.81
1.55
0.900
159.17
2.537
47.79
0.030
-11.27
0.609
170.02
1.60
0.899
158.30
2.456
46.40
0.030
-11.82
0.609
169.38
1.65
0.902
157.39
2.386
44.91
0.030
-12.27
0.609
168.87
1.70
0.903
156.46
2.317
43.49
0.030
-12.67
0.610
168.03
1.75
0.902
155.63
2.251
41.97
0.030
-13.06
0.613
167.41
1.80
0.903
154.92
2.195
40.59
0.030
-13.50
0.612
166.88
1.85
0.904
154.09
2.137
39.12
0.030
-13.91
0.613
165.94
1.90
0.904
153.38
2.080
37.80
0.030
-14.35
0.615
165.27
1.95
0.903
152.74
2.030
36.43
0.030
-14.79
0.615
164.72
2.00
0.906
152.00
1.984
34.98
0.030
-15.36
0.615
163.90
2.05
0.905
151.41
1.937
33.71
0.030
-15.79
0.618
163.26
2.10
0.904
150.85
1.897
32.47
0.031
-16.26
0.619
162.83
2.15
0.906
150.13
1.860
31.10
0.031
-16.74
0.617
162.02
2.20
0.906
149.60
1.822
29.77
0.031
-17.43
0.619
161.22
2.25
0.905
149.11
1.788
28.49
0.031
-17.97
0.620
160.82
2.30
0.906
148.41
1.761
27.10
0.031
-18.45
0.619
160.12
2.35
0.906
147.74
1.729
25.78
0.031
-18.73
0.620
159.20
2.40
0.904
147.11
1.701
24.47
0.031
-19.16
0.620
158.79
2.45
0.903
146.23
1.677
22.98
0.031
-19.61
0.620
158.15
2.50
0.902
145.41
1.651
21.58
0.031
-20.07
0.619
157.20
2.55
0.901
144.66
1.632
20.17
0.031
-20.42
0.621
156.64
2.60
0.899
143.78
1.612
18.88
0.032
-20.71
0.619
156.02
2.65
0.899
142.76
1.591
17.38
0.032
-21.29
0.618
155.10
2.70
0.898
141.87
1.571
15.88
0.032
-21.77
0.619
154.49
2.75
0.894
140.80
1.554
14.50
0.033
-22.47
0.618
154.05
2.80
0.895
139.70
1.539
12.83
0.033
-23.36
0.616
153.08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRFG35005NT1
MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35010ANT1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35010AR1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
MRFG35010MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
MRFG35010NT1
MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
MRFG35010R1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
MRFG35020AR1
TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360
MRFG35030R5
MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600
相关代理商/技术参数
MRFG35005MT1_06
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NR5
功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005NT1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010
功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010ANR5
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010ANT1
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR1
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR5
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: